新拓三維受邀參加CSPT2022中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)年會(huì)

　　11月14日-16日，2022中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)和市場(chǎng)年會(huì)在江蘇南通國(guó)際會(huì)議中心盛大舉行，領(lǐng)航先進(jìn)封裝技術(shù)方向，賦能產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展。

　　本次年會(huì)吸引了包括政府主管部門、國(guó)家科技重大專項(xiàng)專家、相關(guān)地方協(xié)會(huì)、科研院所、全球知名半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)參加。新拓三維受邀參加并攜帶自主研發(fā)的XTDIC-MICRO三維顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)參展，助力半導(dǎo)體封裝缺陷和失效全場(chǎng)監(jiān)測(cè)和分析。

　　電子封裝起著裝置、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作用，其封裝過程的缺陷和失效是非常復(fù)雜的。只有不斷探索封裝缺陷和失效原因，對(duì)封裝過程進(jìn)行全場(chǎng)監(jiān)測(cè)與分析，這樣才能精確探究缺陷產(chǎn)生的原因。

　　新拓三維XTDIC-MICRO非接觸式三維顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)，作為研究電子封裝失效分析的重要測(cè)量工具，廣泛應(yīng)用于芯片半導(dǎo)體熱膨脹、封裝電子板的微變形測(cè)試，對(duì)芯片半導(dǎo)體熱應(yīng)變進(jìn)行全場(chǎng)測(cè)量，驗(yàn)證計(jì)算模型的正確性和準(zhǔn)確性，主要分析芯片在熱力學(xué)環(huán)境下可靠性問題。

　　為半導(dǎo)體芯片封裝測(cè)試賦能

　　半導(dǎo)體芯片封裝變形，主要由器件自身的熱膨脹，或由其相連的焊點(diǎn)對(duì)芯片的作用力。熱載荷環(huán)境下的芯片微應(yīng)變?nèi)珗?chǎng)測(cè)量，基于顯微數(shù)字圖像相關(guān)(XTDIC-Micro)的熱應(yīng)變?nèi)珗?chǎng)測(cè)量技術(shù)，可滿足半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)迫切的封測(cè)缺陷和失效微應(yīng)變測(cè)量。

　　在電路板裝配重要元器件過程中，元器件引腳部位易產(chǎn)生裝配應(yīng)力和變形。電路板會(huì)因引腳產(chǎn)生裝配應(yīng)力、蠕變?cè)斐蔁o(wú)法工作，元器件引腳可靠性及熱效應(yīng)分析非常重要。普通應(yīng)變片直接覆蓋階梯下降區(qū)域，無(wú)法測(cè)量引腳部位應(yīng)變分布變化。

　　通過引入XTDIC-MICRO顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)，測(cè)量逆變器電子元器件引腳下材質(zhì)基底的變形情況，可以系統(tǒng)獲取的應(yīng)變和應(yīng)變速率變化，判斷元器件的熱效應(yīng)變形分布，直接給出缺陷和失效診斷依據(jù)，同時(shí)收集相關(guān)數(shù)據(jù)，方便調(diào)整、優(yōu)化封測(cè)工藝和流程。

　　元器件熱變形測(cè)量

　　電子元器件在使用過程中會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱，發(fā)熱和冷卻過程可視為熱疲勞過程。不同溫度載荷下，元器件展現(xiàn)出不同應(yīng)變分布特性和位移特性。

　　采用XTDIC-Micro顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量PCB板表面變形應(yīng)變情況，分析其熱膨脹系數(shù)。通過搭配高低溫控箱，XTDIC-MICRO顯微系統(tǒng)搭配，采用顯微鏡，可在-40℃~150℃溫度變化下，測(cè)量PCB板出現(xiàn)應(yīng)變集中和失效形式。

　　PCB板高低溫?zé)崤蛎洔y(cè)試

　　芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜，各層材料熱膨脹系數(shù)的差異，會(huì)引起熱失配現(xiàn)象。芯片斷面不同材質(zhì)溫度變化變形及應(yīng)變測(cè)量;采用光學(xué)體式顯微鏡，結(jié)合雙目立體視覺，實(shí)現(xiàn)三維全場(chǎng)變形;分析微觀尺度熱應(yīng)變，與理論分析對(duì)比，驗(yàn)證芯片材料可靠性。

　　芯片熱翹曲測(cè)試

　　采用數(shù)字圖像相關(guān)的測(cè)量技術(shù)實(shí)現(xiàn)微尺度變形測(cè)量，只需進(jìn)行微納散斑制作，半導(dǎo)體待測(cè)區(qū)域表面作防反光處理。然后使用CCD 相機(jī)配合顯微鏡頭采集試件受熱前后散斑圖像，即可對(duì)芯片半導(dǎo)體在各種溫度環(huán)境、各種動(dòng)態(tài)變化中進(jìn)行全場(chǎng)應(yīng)變測(cè)量。

　　想用戶所想，持續(xù)助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

　　近年來(lái)，在國(guó)家政策的大力支持下，半導(dǎo)體芯片行業(yè)迎來(lái)了一個(gè)黃金發(fā)展時(shí)期。新拓三維自主研發(fā)的XTDIC-MICRO顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)，可以滿足半導(dǎo)體行業(yè)的在各種溫度環(huán)境下的測(cè)試需求，助力用戶優(yōu)化生產(chǎn)工藝，并在材料層面保證芯片半導(dǎo)體滿足封測(cè)性能需求。

　　目前，新拓三維已經(jīng)為許多半導(dǎo)體行業(yè)的主要客戶提供了服務(wù)。未來(lái)，新拓三維將始終站在半導(dǎo)體企業(yè)的角度，不斷研發(fā)封裝測(cè)試測(cè)量創(chuàng)新的解決方案，促進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。

（責(zé)任編輯：華康）